IRF8707TRPBF 与 BSO110N03MS G 区别
| 型号 | IRF8707TRPBF | BSO110N03MS G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF8707TRPBF | A-BSO110N03MS G |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.9mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.9mΩ@11A,10V | 11mΩ@12.1A,10V |
| Qg-栅极电荷 | - | 20nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 16S |
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 11A | 12.1A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 4.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 4.4ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 760pF @ 15V | - |
| 高度 | - | 1.75mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 9.5ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | OptiMOS3M |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 760pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.3nC @ 4.5V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 7.8ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.3nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.3984
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.3984
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2,152 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4410DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 10A(Ta) 13.5mΩ@10A,10V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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